品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
类型:N-Channel
导通电阻:132mΩ
连续漏极电流:1.5A
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
导通电阻:750mΩ
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:19nC@10V
类型:P-Channel
阈值电压:4V@250µA
输入电容:510pF@50V
功率:2W€3.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:19nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
输入电容:510pF@50V
功率:2W€3.2W
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
导通电阻:132mΩ
连续漏极电流:1.5A
功率:400mW€500mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
类型:N-Channel
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:750mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:750mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N-Channel
导通电阻:132mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N-Channel
导通电阻:132mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N-Channel
导通电阻:132mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N-Channel
导通电阻:132mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N-Channel
导通电阻:132mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1N60ATRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:229pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@840mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: