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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
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规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
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规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
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功率：1.8W
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
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规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
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规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
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规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
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连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
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规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
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输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
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功率：1.8W
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类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
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输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
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类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
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输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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