品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2012SN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178.5pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5802TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@540mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB390UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5802TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@540mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4995}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD175XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:225mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB390UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":10855}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT760EN,135
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€6.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@80V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@800mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7800
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: