品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB150CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1765pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP28N60M2
导通电阻:150mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
漏源电压:600V
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1370pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF28N60M2
导通电阻:150mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
漏源电压:600V
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1370pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB150CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1765pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: