采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R080P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R080P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R080P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：44.5W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：22nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：44.5W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：22nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：44.5W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：22nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R080P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
