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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439_R1_00001 起订41个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439_R1_00001 起订41个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订82个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订82个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2106N3-G 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2106N3-G 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2106N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH201,215 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH201,215 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH201,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@48V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.5Ω@160mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订138个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订138个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-AU_R1_000A2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0U-13 起订48个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0U-13 起订48个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF2201NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001 起订21个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001 起订21个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW 起订14个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW 起订14个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ1NK60ZR-AP 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STQ1NK60ZR-AP 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:94pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISS17EP06LMXTSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISS17EP06LMXTSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISS17EP06LMXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@34µA

    栅极电荷:1.79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@30V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.7Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISS17EP06LMXTSA1 起订27个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISS17EP06LMXTSA1 起订27个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISS17EP06LMXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@34µA

    栅极电荷:1.79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@30V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.7Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQN1N60CTA 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQN1N60CTA 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQN1N60CTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@150mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001 起订41个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K_R1_00001 起订41个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4S-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4S-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@300mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订30000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订30000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN1NK60Z 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN1NK60Z 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN1NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF2201NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2 起订52个装
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2 起订52个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002H6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4S-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4S-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@300mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF2201NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2 起订24个装
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002H6327XTSA2 起订24个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002H6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0U-7 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0U-7 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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