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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH201，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：417mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@48V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.5Ω@160mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS17EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@34µA
栅极电荷：1.79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：1.7Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS17EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@34µA
栅极电荷：1.79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：1.7Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH201，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：417mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@48V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.5Ω@160mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH201，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：417mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@48V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.5Ω@160mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH201，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：417mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@48V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.5Ω@160mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS17EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@34µA
栅极电荷：1.79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：1.7Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH201，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：417mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@48V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.5Ω@160mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS17EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：1.7Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS17EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：1.7Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH201，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：417mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@48V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.5Ω@160mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS17EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@34µA
栅极电荷：1.79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：1.7Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS17EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：1.7Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
