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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002K
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002K-AQ
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002K-AQ
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
