品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ40N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":37,"22+":5000,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH40N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:860W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN067N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":76,"21+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45984,"24+":27166}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":760}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA40N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21549,"23+":18194}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT060N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1282pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP067N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT40N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: