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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@12.5V€4000pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
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连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT
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漏源电压：25V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
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功率：12W
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类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
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功率：12W
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7250}
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD86356Q5DT
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类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
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功率：12W
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
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功率：12W
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规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
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功率：12W
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7250}
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漏源电压：25V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
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功率：12W
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：12500}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87353Q5D
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功率：12W
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输入电容：3190pF@15V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
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类型：2个N通道（半桥）
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：12W
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@12.5V€4000pF@12.5V
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漏源电压：25V
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库存：
