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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA95R750P7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA95R750P7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA95R750P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@220µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:712pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280CFD7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280CFD7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4.5V@180µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:807pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订35个装
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订35个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STU12N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:538pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD6N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@3A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB433EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB433EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R280CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R280CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R280CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4.5V@180µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:807pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R360P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R360P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R360P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80Z 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80Z 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4453 起订16个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4453 起订16个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4453

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2014LHAB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:13mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R385CPXKSA1 起订348个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R385CPXKSA1 起订348个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":379,"22+":1000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R385CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB14R0EPX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB14R0EPX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB14R0EPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:227pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA4TCR 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA4TCR 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8KA4TCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N50CF 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N50CF 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N50CF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1030pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF10N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF10N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF10N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:635pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7804 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7804 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7804

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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