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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7140
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4750pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
