采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2428}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：752，"22+"：1878}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068LK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2428}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：752，"22+"：1878}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：752，"22+"：1878}
规格型号(MPN)：FDD5680
功率：2.8W€60W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：8.5A
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
输入电容：1835pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：2428}
规格型号(MPN)：FDD5680
功率：2.8W€60W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：8.5A
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
输入电容：1835pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
功率：2.8W€60W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：8.5A
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
输入电容：1835pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2428}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
