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    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 3.5A
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:200+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4488DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4488DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4488DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订13个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13306W 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13306W 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13306W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13306W 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13306W 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13306W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-E3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-E3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4488DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4488DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@100V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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