品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:4V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS037N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW€104.2W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3375pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
阈值电压:1.65V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17559Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:1.7V@250µA
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9200pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17573Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9000pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17506Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC036NE7NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:3.8V@110µA
栅极电荷:63.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC036NE7NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17573Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9000pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: