品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
输入电容:21.5pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:2.5nC@10V
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:6Ω@170mA,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:05+
规格型号(MPN):BSS123TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
连续漏极电流:0.17A
类型:N-Channel
输入电容:20pF@25V
阈值电压:2.8V@1mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
阈值电压:2.8V@1mA
连续漏极电流:0.17A
类型:N-Channel
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
连续漏极电流:0.17A
类型:N-Channel
输入电容:20pF@25V
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:0.17A
类型:N-Channel
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:0.17A
类型:N-Channel
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":102000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-F169
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:0.17A
类型:N-Channel
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: