采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLTS6342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：230W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLTS6342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：230W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLTS6342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.1V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：230W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4029SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8.3A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
