首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9351TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9351TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.4V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    栅极电荷:1.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2308BDS-T1-GE3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2308BDS-T1-GE3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2308BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.09W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM792TRPBF 起订824个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM792TRPBF 起订824个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHM792TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:4V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:195mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STR2N2VH5 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STR2N2VH5 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STR2N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:367pF@16V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订6083个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订6083个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订55个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订55个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2324DS-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2324DS-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.9V@250µA

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@50V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:234mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9351TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9351TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.4V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订13个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP3NK50Z 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP3NK50Z 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP3NK50Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2324DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2324DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.9V@250µA

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@50V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:234mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMD63N03XTA 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMD63N03XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:135mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    栅极电荷:1.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧