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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FCP16N60
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：2250pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
包装方式：管件
漏源电压：600V
导通电阻：260mΩ@8A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FCP16N60
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：2250pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
包装方式：管件
漏源电压：600V
导通电阻：260mΩ@8A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
输入电容：2830pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
连续漏极电流：16A
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
