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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@350mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@350mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR316PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：P沟道
导通电阻：1.8Ω@360mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR316PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@170µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：P沟道
导通电阻：1.8Ω@360mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3525N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@200mA，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2524N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN1509N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@200mA，0V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@350mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@350mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45.8pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@270mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@350mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45.8pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@270mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2524N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
