品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):917psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:散装
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":8300,"13+":572,"9999":67}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":8300,"13+":572,"9999":67}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":6380,"05+":23135,"06+":47011,"07+":27500,"08+":25000,"14+":14889,"MI+":237}
包装规格(MPQ):917psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:散装
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3015LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: