品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R800CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":22195}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP08N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPI08N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":20,"08+":200,"10+":500,"17+":210}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA08N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R800CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":20,"08+":200,"10+":500,"17+":210}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA08N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":22195}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP08N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: