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    连续漏极电流: 7.6A
    类型: P沟道
    当前匹配商品:80+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@10V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1837pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1837pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订1200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订1200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@10V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@10V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1837pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1837pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1837pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@10V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@10V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1837pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1837pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1837pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@10V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@10V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2023UFDF-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1837pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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