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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB22N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LPSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LPSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1372pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LDV-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LDV-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LDV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1184pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP21N50C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP21N50C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP21N50C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG22N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG22N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG22N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG21N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG21N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2030pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:176mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7831TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7831TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7831TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@250µA

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6240pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB19N20LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€140W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LPSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LPSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1372pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R165CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF28N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF28N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF28N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7862TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7862TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7862TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4090pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB21N65EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB21N65EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB21N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2322pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA21N50C3XKSA1 起订141个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA21N50C3XKSA1 起订141个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":197,"MI+":1450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA21N50C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.5W

    阈值电压:3.9V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:560V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R125CFD7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R125CFD7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R125CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:127W

    阈值电压:4.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@400V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP28N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP28N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP21N50C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP21N50C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP21N50C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.9V@1mA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@13.1A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R165CPXKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R165CPXKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R165CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.5V@660µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R165CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454DDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€29.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@50V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7862TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7862TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7862TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4090pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC520N15NS3GATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC520N15NS3GATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC520N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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