采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6017SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2711pF@15V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6017SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2711pF@15V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6017SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2711pF@15V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP87130T-U/LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@12.5V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6017SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2711pF@15V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6017SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2711pF@15V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP87130T-U/LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@12.5V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6017SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2711pF@15V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP87130T-U/LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@12.5V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6017SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2711pF@15V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6017SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2711pF@15V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN059-150Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1529pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
