采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT1N300P3HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：195W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：895pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@500mA，10V
漏源电压：3000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2490，"22+"：3914，"MI+"：13620}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU1N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
