采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4800
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA90R800C3XKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@460µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@4.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6400
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLTS2242TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN16XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA90R800C3XKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@460µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@4.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI90R800C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@460µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@4.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7473TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLTS2242TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN16XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
