采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：886pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
