品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN2NF10
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN2NF10
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN2NF10
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN2NF10
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: