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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
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功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
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功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2053UVT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
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功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2058U-7
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功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
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功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
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功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
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功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
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功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UVT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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