包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XNEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€12.5W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK70Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM50T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60M2-EP
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:595mΩ@3.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":423,"18+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XNEAZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€12.5W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86551L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4502,"19+":92500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XNEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€12.5W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":985}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI8N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€147W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1255pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2016LHAB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6402A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: