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    ST Mosfet场效应管 STP10N60M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP10N60M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFH10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP9NK70ZFP 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP9NK70ZFP 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9NK70ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF10N60M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STF10N60M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP9NK70Z 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP9NK70Z 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9NK70Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:115W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF10N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STF10N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50T4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50T4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NM50T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:100W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订35个装
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订35个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFH10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF11N60M2-EP 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STF11N60M2-EP 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF11N60M2-EP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:12.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:595mΩ@3.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAZ 起订3307个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAZ 起订3307个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":423,"18+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86551L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86551L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86551L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订3307个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订3307个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4502,"19+":92500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI8N60CTU 起订306个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI8N60CTU 起订306个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":985}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI8N60CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1255pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订556个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订556个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2016LHAB-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2016LHAB-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2016LHAB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:15.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF10N60M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF10N60M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF10N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6402A 起订11个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6402A 起订11个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6402A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSD-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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