采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56975，"13+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB38UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：268pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5902BDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.12W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56975，"13+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB38UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：268pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5902BDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.12W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
