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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1086}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
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类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
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输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
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输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5000}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
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连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
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输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5000}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5000}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD25202W15T
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1010pF@10V
阈值电压：1.05V@250µA
导通电阻：26mΩ@2A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：7.5nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
