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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
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功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
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输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
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功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
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输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
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连续漏极电流：4A
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功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
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输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
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连续漏极电流：4A
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功率：50W
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栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
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