品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY4N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004JNXC7G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:7V@450µA
栅极电荷:10.5nC@15V
包装方式:管件
输入电容:260pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N50CTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF5N95K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP04N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW7N105K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:1050V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5454}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF4N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4.2Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP04N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:177pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA4N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:177pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:173pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP4N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4.2Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":497}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80ZYD
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":10,"17+":16500,"18+":79999,"9999":1430,"MI+":1500}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R1K4P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.05nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R1K4P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA4N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K4P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@700µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU95R2K0P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.7A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7N105K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:1050V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP8N70X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K4P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP04N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1851}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2710-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5690pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@50A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1851}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2710-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5690pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@50A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: