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    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4916NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1376pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA507PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@24V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA507PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@24V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA507PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN7022LFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN7022LFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN7022LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2737pF@35V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA507PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4916NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1376pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4916NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1376pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4916NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1376pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN7022LFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN7022LFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN7022LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:56.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2737pF@35V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1193,"13+":300,"15+":843,"18+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4916NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1376pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN7022LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN7022LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN7022LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2737pF@35V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN7022LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN7022LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN7022LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2737pF@35V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA510PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA510PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA510PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4916NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1376pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@24V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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