采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP135IXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：98pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP135IXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@94µA
栅极电荷：3.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：98pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP135IXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@94µA
栅极电荷：3.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：98pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：18655}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP135H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：146pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：343141}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125L6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP135H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@94µA
栅极电荷：4.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：146pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP125H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：45Ω@120mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107PSTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
