品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:555pF@10V
漏源电压:20V
功率:1W
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: