品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APM4953
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:504pF@15V
连续漏极电流:5.3A
导通电阻:41mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9435CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU9010PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@2.8A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9010PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@2.8A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3030LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3069L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:8.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.12W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:404pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0030TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@25µA
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:382pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APM4953
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:504pF@15V
连续漏极电流:5.3A
导通电阻:41mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:36nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV35EPER
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:36nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9945BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4050SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790.8pF@20V
连续漏极电流:5.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:36nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4050SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790.8pF@20V
连续漏极电流:5.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9010TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@2.8A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.12W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:404pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9945BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV35EPER
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4050SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790.8pF@20V
连续漏极电流:5.3A
类型:N和P沟道互补型
导通电阻:45mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:36nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4050SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790.8pF@20V
连续漏极电流:5.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: