品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF51N25YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: