品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1023PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:72mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR802NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@30µA
栅极电荷:4.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1447pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@3.7A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1023PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:72mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":227870,"21+":291000,"MI+":12500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1023PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:72mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: