采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA3023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP613PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3993CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：111mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：53879}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB75UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9958
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4102PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
