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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
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功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
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功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
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功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
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阈值电压：2.3V@250µA
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连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
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连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：22+
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
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输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
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功率：3.1W€156W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：32nC@10V
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输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
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功率：3.1W€156W
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连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
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品牌：TI
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W€120W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
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栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
