品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:80nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1224pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.02W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:338mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R210CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:64W
阈值电压:4.5V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":40,"19+":763}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":514,"15+":500,"16+":6000,"17+":3218,"18+":19500,"19+":5500,"9999":350,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:64W
阈值电压:4.5V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO201SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.02W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP9240PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@7.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R099C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: