采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1265pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA462DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.02W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB260N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO201SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.02W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2970pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1265pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.02W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si4178DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC9430L-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：11.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407AL
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
