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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
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功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
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功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
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功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
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功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
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功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
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功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA477EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA477EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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