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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO201SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：75nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO201SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：75nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：75nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO201SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：75nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：75nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO201SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO201SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO201SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO201SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：75nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
