品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: