采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC9430L-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：11.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407AL
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC9430L-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：11.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA432DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC9430L-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：11.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA432DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
