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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB13N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB13N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STB13N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
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功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB13N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
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规格型号(MPN)：STB13N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
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规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
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阈值电压：3V@250µA
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输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
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功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：29nC@10V
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输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
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连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
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功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
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功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
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输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：950pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：3.5W€19W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB13N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STB13N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
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功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB13N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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